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元件参数资料
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参数目录36281
> 2SA1179N6-CPA-TB-E TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP
型号:
2SA1179N6-CPA-TB-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
2SA1179N6-CPA-TB-E PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 1mA,6V
功率 - 最大
200mW
频率 - 转换
180MHz
安装类型
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封装/外壳
*
供应商设备封装
*
包装
*
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